1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。

1.2基片substrate：膜層承受體。

1.3試驗基片testingsubstrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結束后用作測量和(或)試驗的基片。

1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來制取膜層的原材料。

1.5蒸發材料evaporationmaterial：在真空蒸發中用來蒸發的鍍膜材料。

1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。

1.7膜層材料(膜層材質)filmmaterial：組成膜層的材料。

1.8蒸發速率evaporationrate：在給定時間間隔內,蒸發出來的材料量,除以該時間間隔

1.9濺射速率sputteringrate：在給定時間間隔內,濺射出來的材料量,除以該時間間隔。

1.10沉積速率depositionrate：在給定時間間隔內,沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。

1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。

2工藝

2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發的真空鍍膜過程。

2.1.1同時蒸發simultaneousevaporation：用數個蒸發器把各種蒸發材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發。

2.1.2蒸發場蒸發evaporationfieldevaporation：由蒸發場同時蒸發的材料到基片上進行蒸鍍的真空蒸發(此工藝應用于大面積蒸發以獲得到理想的膜厚分布)。

2.1.3反應性真空蒸發reactivevacuumevaporation：通過與氣體反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空蒸發。

2.1.4蒸發器中的反應性真空蒸發reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發器中各種蒸發材料反應,而獲得理想化學成分膜層材料的真空蒸發。

2.1.5直接加熱的蒸發directheatingevaporation：蒸發材料蒸發所必須的熱量是對蒸發材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發。

2.1.6感應加熱蒸發inducedheatingevaporation：蒸發材料通過感應渦流加熱的蒸發。

2.1.7電子束蒸發electronbeamevaporation：通過電子轟擊使蒸發材料加熱的蒸發。

2.1.8激光束蒸發laserbeamevaporation：通過激光束加熱蒸發材料的蒸發。

2.1.9間接加熱的蒸發indirectheatingevaporation：在加熱裝置(例如小舟形蒸發器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發材料獲得蒸發所必須的熱量并通過熱傳導或熱輻射方式傳遞給蒸發材料的蒸發。

2.1.10閃蒸flashevaportion：將極少量的蒸發材料間斷地做瞬時的蒸發。

2.2真空濺射vacuumsputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團的過程。

2.2.1反應性真空濺射reactivevacuumsputtering：通過與氣體的反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空濺射。

2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

2.2.3直流二級濺射directcurrentdiodesputtering：通過二個電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

2.2.4非對稱性交流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過二個電極間的非對稱性交流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負電位的濺射。

2.2.6熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產生的離子，由在陽極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

2.2.7熱陰極高頻濺射(三極型濺射)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電產生的離子，在靶表面負電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。

2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering：利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning：利用輝光放電原理，使基片以及膜層表面經受氣體放電轟擊的清洗過程。

2.3物理氣相沉積;PVDphysicalvapordeposition：在真空狀態下，鍍膜材料經蒸發或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

2.4化學氣相沉積;CVDchemicalvapordeposition：一定化學配比的反應氣體，在特定激活條件下(通常是一定高的溫度)，通過氣相化學反應生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。